近日，國內(nèi)外高校相繼在Micro LED 研究上又有新進展。

　　01 香港科技大學研發(fā)全彩Micro LED制作新技術

　　香港科技大學 (HKUST ) 的研究團隊展示了一種新技術，可利用InGaN和AlGaInP半導體材料的異質(zhì)集成實現(xiàn)全彩Micro LED顯示器。

　　據(jù)悉，研究團隊制造了一款Micro LED微型顯示器原型，具有200x80像素和每英寸391像素的超高分辨率。為了實現(xiàn)全彩顯示效果，團隊開發(fā)了一種集成藍、綠和紅光的Micro LED陣列雙層顯示架構。

　　通過異構集成的方法，團隊能夠利用InGaN和AlGaInP材料的高效率分別實現(xiàn)藍、綠和紅光發(fā)射。

　　研究人員表示，新技術與多堆棧晶圓鍵合或顏色轉換等現(xiàn)有技術相比，其簡化了制造流程。利用該技術，研究團隊成功地在微顯示器上顯示全彩圖像，顯示器具有109% sRGB色域和300尼特的亮度。研究團隊表示，通過增強像素驅(qū)動器和優(yōu)化GaN雙色外延片 的方法，可以進一步改善微顯示器的顏色混合并實現(xiàn)超過4000尼特的亮度。

　　02 謝菲爾德大學研發(fā)外延生長Micro LED技術

　　謝菲爾德大學的研究人員開發(fā)了一種Micro LED制造新方法，稱作Confined selective epitaxy (CSE) 的技術。該技術允許在外延生長過程中直接形成Micro LED，而不是使用傳統(tǒng)的蝕刻工藝。新技術避免等離子體損壞，顯著提高Micro LED的性能和功能。研究團隊表示CSE技術可有效解決Micro LED面臨的多項生產(chǎn)挑戰(zhàn)。

　　據(jù)團隊介紹，在效率方面，CSE技術實現(xiàn)了尺寸為3.6μm的綠光Micro LED，峰值外部量子效率達到9%，較蝕刻技術打造的Micro LED提升1~5%。

　　在波長方面，CSE技術可實現(xiàn)以直接生長紅光642nm的Micro LED，具有1.75%的外量子效率 。在電流泄漏方面，CSE技術可將Micro LED側壁泄漏電流密度降低至3×10- 6 A/cm2 ，減少顯示器像素的無意激活。

　　在集成度方面，CSE技術實現(xiàn)了Micro LED與HEMT驅(qū)動器電子器件的直接集成，避免了復雜的組裝步驟。